Acalon.e²

Bueno, como llevais los examenes de años anteriores, el otro dia hice el 95 y estas son algunas de mis dudas, a ver si le podéis echar un vistazo:

58

65

95

103, creo que en algun post de no se quien comentaba algo relacionado con esto, no?

106

117

Ciao!!

Vamos con las preguntas invisibles

58 ) Yo eligiria la combinacion de elementos ligeros y pesados, para asegurarnos, a parte de que el ligero termaliza y el pesado absorbe

65) La 3, helicoidal con radio decreciente. Imagina al electron viajando en linea recta, y el B, como aumenta, significa que las lineas de campo se acercarán, entonces la direccion del elctron formará un angulo con las lineas de campo. La parte paralela hará que viaje hacia delante, y la perpendicular al campo hará que gire.

95) Por descarte la 1

103) 4. Eso de extrinseco del grupo IV me escapa, o es del III o del V, pero bueno. Suponiendo extrínseco, a T ambiente todas las impurezas estan ionizadas, por lo que quitando la conductividad, será igual que uno intrinseco. La Ef de un intrínseco se mantiene en el centro de la banda prohibida, pero ahora ya se que que no se mantiene justo en la mitad.

106) Yo diria que la 2, ya que al recombinarse desaparecen los portadores que son los que llevan corriente, pero dice que la corriente aumenta...

117) La 3, los magnéticos, porque a parte de que los demas son deficientes en la deteccion de electrones, con un espectrometro magnetico que funciones segun q*B=m*v/R, midiendo con precision R podre saber su velocidad y con ello su energia. P.D.Esto lo se despues de hacer el examen, en los libros no lo he visto. Yo habria puesto el semiconductor

Da pereza, pero la proxima vez escribo las preguntas. Muchas gracias Bauer.

58. De acuerdo con tu razonamiento

63. Ahora lo veo mucho mejor, de esa manera veo que el radio se haga creciente.

95. Es cierto que por descarte, pero queria saber porqué. No recordais algunas preguntas en otros examenes en los que se comparaban parámetros del diodo de Ge y el de Si? es q ahora no sé por donde andará, pero seguro que ayudarian a entender esto.

103. Es verdad, para empezar tomemoslo com extrinseco(olvidar lo de grupo 4). En mis apuntes encontré esta afirmacion, pero dudaba porque la opcion 3 tb me parecia correcta, pues habia un intervalo creo que cercac de la Tambiente para el que la conductividad de los extrinsecos disminuia con la T. Esto creo que se ha discutido alguna vez en el foro, no es verdad?

106. Yo en esta seguiria diciendo que la corriente disminuiria, incrementaria si fuese en polariz. directa.

117. Esta me la creo simplemente, jejje.

Gracias, seguiremos comentando dudas.

65) Cuidadin, es decreciente el radio

95) Pues casualmente ahora estoy con electrónica. Yo creo que: como la corriente de saturación tiene su origen en las oscilaciones térmicas de los portadores de carga, algunos electrones podrán ascender a la banda de conducción desde la de valencia. El gap del Ge es de 0.78 eV y el del Si de 1.2 eV, entonces como la anchura prohibida es menor en el Ge, mas electrones podrán excitarse térmicamente que en el Si, que tiene una anchura mayor

103) La conductividad de un extrínseco es cte a temperatura ambiente, ya que aunque se exciten algunos electrones, su concentración es muy pequeña. Se necesitarian temperaturas de unos 400 o 500 K, dependiendo del metal, para que la conductividad aumentase, sin tener en cuenta la resistencia de los materiales cuando aumenta la T

106) Pues ahora creo que si es la 1. Aun no lo se explicar muy bien, pero los procesos de recombinación siempre aumentan la corriente

95. Tiene su sentido.

103. Segun ,is apuntes lo q dices es cierto, pero no se por que pienso q en algun intervalo la conductvidad del extrinseco disminuia con la T. Creo que salio en alguna pregunta, de verdad no os suena esto de nada? a ver si lo estoy confundiendo con otra cosa..

106. Lo mirare xq lo sigo sin ver.

hasta pronto!

No he leido la pregunta ni nada, sólo es por contestar a f02bevim:

En las gráficas que yo tengo, en el intervalo donde el semiconductor está completamente ionizado, pero todavía no tiene energía suficiente como para ionizar los átomos "base", la conductividad si disminuye con la temperatura. Esto estaba relacionado con la movilidad creo.

En este enlace, en la única gráfica que aparece tenéis un ejemplo:

http://www.herrera.unt.edu.ar/lfs/downl ... ctores.doc

Aunque ahora que miro otras páginas, dicen lo contrario, joder....

Vaya hombre, otra cosa mas para aprender. Por lo que veo en la gráfica la conductividad es cte en torno a los 300K. Lo que yo creo que pasa es:

1- A T muy bajas la conductividad aumenta con la T porque se ionizan las impurezas

2- A T de 200K mas o menos, la conductividad se hace constante o aumenta muy poco, ya que todas las impurezas ya estan ionizada, por lo que no habrán mas portadores de carga, quizás alguno extra del cristal intrínseco

3- Y esta es la parte nueva, a T de 400K mas o menos, la conductividad disminuye, quizás porque la movilidad es inversamente proporcional a la temperatura

4- A T grandes, de unos 600K la conductividad aumenta con T porque empiezan a ionizarse los electrones del cristal

En un libro de un tal Jose Maria Albella hay una gráfica de la concentración de portadores en función de la T, que dice mas o menos lo de antes.

Que ganas tengo de aprobar esta mierda para dejar de estudiar Electrónica de una vez

Exacto, creo que en algunos libros la disminución que se observa a 400k más o menos se la pasan por el forro porque debe ser muy pequeña, pero aun así, existe. Como dices se debe a la disminución de la movilidad en ese rango.

1 saludete

creo que la clave es no confundir la grafica de la concentracion de portadores y la de la conductividad, puesto que a los 400 K, predomina la disminucion de la movilidad con el aumento de la temperatura frente al aumento de portadores con lo que la conductividad decrece.
A ver si un dia dejamos de estudiar electronica...