Ya he encontrado la solución, en un semiconductor extrínseco, cuando llegamos a una temperatura lo suficientemente alta como para que todas las impurezas se hayan ionizado, y como para que la conducción comience a estar dominada por los portadores intrínsecos (unos 400K) , el nivel de Fermi "cae" al intrínseco. Efectivamente, el intrínseco a T=0 está situado en el centro del gap, pero al aumentar la temperatura se desplaza progresivamente hacia Bc o Bv (depende de la masa efectiva de los electrones y los huecos).Espi, ¿entonces lo que yo he dicho de que el nivel de Fermi se mantiene en el centro del GAP es cierto o falso? Me creere lo que tu me digas, te convertiré en mi profeta particular.
En conclusión, en un semiconductor extrínseco a temperaturas altas, el nivel de Fermi es el intrínseco, pero no está en el centro del gap, pues el intrínseco sólo se sitúa en el centro a T=0K
1 saludete lechones, que paseis buen día.
