jeusus escribió: ↑16 Mar 2021, 12:36
12. Una moneda con P(cara) = P(cruz) = 1/2 se lanza
hasta que aparecen tres caras o tres cruces (no
necesariamente seguidas). Entonces, el número
medio de lanzamientos es:
1. 4
2. 33/8[RC]
3. 35/8
4. 31/8
¿Este tipo de problemas cómo los hacéis? Es que no paro de contar y no me sale ni patrás.
Como máximo son 5 tiradas. Haz todos los posibles casos con 5 tiradas y luego cuenta si has necesitado 3, 4 o 5 tiradas. Una mierda preciosamente larga. No sé si se puede hacer con alguna formulita
15. Desde el punto más alto de una esfera de radio R
se desliza libremente, sin rozamientos ni velocidad inicial, un cuerpo de masa m. El cuerpo
abandona la superficie esférica.
1. Cuando haya descendido 1/6 del radio.
2. Cuando haya descendido 1/3 del radio.[RC]
3. Cuando la fuerza centrífuga sea igual a la componente perpendicular del peso en la dirección del
radio.
4. Cuando haya descendido 1/5 del radio.
No veo que la 3 no sea correcta.
Sería correcta si fuese la dirección paralela al radio o perpendicular a la superficie, no?
Podría ser anulable. La 2 desde luego es correcta, y la 3 la verdad es que no está bien claro a que componente del peso se refieren (que yo creo que es la componente normal a la superficie, por lo que sería cierta también).
61. Señale la respuesta correcta con respecto a la
propagación de ondas:
1. No hay distinción física significativa entre la difracción y la interferencia.[RC]
2. La difracción es una consecuencia del principio de
Huygens.
3. La difracción de Fraunhofer es una buena aproximación al fenómeno cuando las distancias fuente-rendija-punto de observación no son muy
grandes.
4. La mancha de Airi desvela el carácter corpuscular
de las ondas electromagnéticas.
¿Esta no sería la 2?
Huygens dice que todo frente de ondas se considera como una fuente de ondas secundarias. Para que haya difracción la condición es que el tamaño de la apertura sea del tamaño de la longitud de onda, no? Y Huygens no dice nada de eso, no? No sé, no lo tengo del todo claro xD
No estoy del todo seguro que la difracción sea consecuencia del principio de Huygens, sí que es cierto que trata de dar una explicación de la difracción, pero no quiere decir que sea consecuencia de ello. La 1 me parece más correcta, al fin y al cabo ambas se consideran como una superposición de ondas.
91. Se conectan en serie dos amplificadores de tensión iguales, y cada uno de ellos tiene una frecuencia inferior de corte de 20 Hz. La frecuencia
inferior de corte de la asociación serie es de
aproximadamente:
1. 5,5 Hz.
2. 12,2 Hz.
3. 21,2 Hz.
4. 31,2 Hz.[RC]
En esta ha visto por ahí que hay que usar esta ecuación: f=f0*Sqrt(2^(1/N)-1)
Siendo f la frecuencia de corte nueva, f0 la de los amplificadores individuales, N el número de amplificadores. Pero
aplicando esa ecuación me sale 12,87Hz. ¿Alguien sabe qué está fallando por aquí?
A mí sí me da bien. 31.2 para ser exactos
92. Si la corriente del emisor de un transistor es de
8mA e IB es 1/100 de IC, ¿Cuáles son los niveles
de IB e IC?
1. IB=7,921 e IC=79,21
2. IB=79,21 e IC=792,1
3. IB=79,21 e IC=7,921[RC]
4. IB=792,1 e IC=79,21
¿?
Hay que investigar más por el foro amigo xD Se ve que en el mundillo de los transistores cuando dan los valores de IB y de IC, uno lo dan en mA y el otro en microAmperios, de forma que sería correcta la 3. Yo como no lo ha especificado la he dejado como inválida y me he quedado tan pancho
102. Suponiendo que la tensión de polarización base-colector en un transistor se mantiene constante y el emisor se alimenta con una corriente
asimismo constante, pueden producirse variaciones en el tensión base- colector, V BC, debido
a efectos térmicos. Como regla práctica puede
afirmarse que:
1. La tensión base-emisor VBC disminuye alrededor de 3 mV/ºC.[RC]
2. La resistencia interna de emisor aumenta a medida que aumenta la temperatura,
3. La tensión base emisor aumenta al aumentar la
temperatura, aproximadamente 5 mV/ºC.
4. La tensión base emisor no depende de la temperatura.
¿Tensión Base-Emisor o VBC?
Pues es un poco confuso, porque por una parte en el enunciado dice que VBC se mantiene constante, pero luego dice que puede sufrir variaciones debido a efectos térmicos. Así que si nos guiamos por esto último tendría más sentido que se refieran a VBC. Pero bueno, ni idea la verdad, yo es de las que pasaría en el examen xdd.
108. En un diodo, cuando la temperatura de la unión
se incrementa ...
1. La zona de deplexión se ensancha y aumenta la
barrera de potencial
2. La zona de deplexión se estrecha y disminuye
barrera de potencial[RC]
3. La zona de deplexión se estrecha y aumenta
barrera de potencial
4. La zona de deplexión se mantiene y disminuye
barrera de potencial
Yo en los apuntes tengo que Vbi es proporcional a kT y que la anchura de la zona de deplexión es proporcional a sqrt(Vbi).
¿No debería ser la 1?
El pasado del foro y yo estamos de acuerdo contigo en que debería ser la 1
Sí, concuerdo también.
131. Un material semiconductor ha sido dopado con
átomos de boro (impureza aceptadora). Si estamos a temperatura ambiente podemos afirmar:
1. Se trata de un semiconductor intrínseco.
2. La concentración de cargas positivas será igual a
la de cargas negativas.[RC]
3. La concentración de cargas positivas será mayor
a la de cargas negativas.
4. La concentración de cargas positivas será menor
a la de cargas negativas.
¿Por qué no es la 3?
Es la 3
Pues diría que es correcta la 2. Lo que es mayor es la concentración de huecos respecto a la de electrones, pero hay que tener en cuenta también que están los átomos de boro ionizados, con carga negativa, que sumados con la concentración de electrones te da igual a la concentración de huecos.
Muchas gracias de antemano ^_^