Ya se que estamos con la resaca del simulacro, pero bueno...a ver si alguien me ayuda:
4. Señala cual de las siguientes afirmaciones sobre
semiconductores extrínsecos es la correcta
1. El nivel de Fermi se aleja más de Ei cuanto mayor sea
la concentración de dopantes
2. La carga neta del semiconductor es negativa para los
dopados tipo n y positiva para los tipo p
3. Las masas efectivas de electrones y huecos son
diferentes
4. No existe generación térmica de electrones y huecos,
sino sólo por dopantes
5. El nivel de Fermi se aleja más de Ei cuanto menor sea
la concentración de dopantes
La 2 y la 3 no son ciertas? n son electrones negativa, p huecos positiva, y las masas efectivas de electrones (segun mis apuntes) son menores que las de huecos
5. El módulo de Young es un parámetro característico de
cada material y que está relacionado con la resistencia
de éste a los esfuerzos de:
1. Tracción
2. Cizalladura
3. Compresión
4. Torsión
5. Abrasión
el modulo de young es para traccion y compresion, existe otro que es el modulo de cizalladura
33. Una de las siguientes características no corresponde
al termistor:
1. Se basa en que al variar la temperatura varía la
resistencia.
2. Al aumentar la temperatura disminuye la resistencia.
3. Es muy preciso.
4. Para medir la temperatura se mide la resistencia de un
metal.
5. Ninguna corresponde al termistor.
"Un termistor es un sensor resistivo de temperatura. Su funcionamiento se basa en la variación de la resistividad que presenta un semiconductor con la temperatura. El término termistor proviene de Thermally Sensitive Resistor"
Yo creo que si es una caracteristica q corresponde
51. Una característica común a la teoría de Einstein y a
la teoría de Debye del calor específico de los sólidos
es que:
1. La energía media de cada átomo es 3kT.
2. La energía vibracional del cristal es equivalente a la
energía de 3N, osciladores armónicos independientes.
3. El cristal se considera continuo para las ondas
elásticas.
4. La velocidad de las ondas elásticas transversales es
mayor que la de las longitudinales.
5. La frecuencia de corte superior para las ondas
elásticas es la misma
La opcion 2 no es solo para el modelo de einstein???
63. ¿Cuál de los siguientes filtros presenta una fase
aproximadamente lineal?
1. Butterworth.
2. Chebyshev.
3. Elíptico.
4. Bessel.
5. RC.
Yo tenia entendido que el que tiene la fase mas lineal es el butterworth
122. Una fuente real de tensión es un sistema que
proporciona:
1. Un valor de tensión independiente de la intensidad
que circula por ella.
2. Una intensidad variable con independencia de la
tensión entre sus bornes.
3. Una determinada tensión independiente del tiempo.
4. Una potencia prácticamente nula.
5. Un valor de tensión que depende de la intensidad
que circula por ella.
No deberia ser constante la tension??? ser independiente de la intensidad
124. Utilizando un formato IEEE 754 de 16 bits (igual
que el de 32 bits pero con sólo 7 bits para el campo
de mantisa) el código que representa más
aproximadamente al número decimal -2’5034•10-5
es:
1. B869
2. B7FA
3. B8A6
4. B7D2
5. B3C8
Lo he intentado mil veces y no me da ni de coña, a alguien le sale???
146. La capacidad de transición de una unión P-N
gradual en polarización inversa es:
1. Independiente de la anchura de la zona de transición.
2. Proporcional a la anchura de la zona de transición.
3. Inversamente proporcional a la anchura de la zona
de transición.
4. Inversamente proporcional al cuadrado de la anchura
de la zona de transición.
5. Inversamente proporcional a la raíz cuadrada de la
anchura de la zona de transición.
La formula que tengo yo de la capacidad de transicion en polarizacion inversa es:
C= Co / (1+ (Vr/Vk))^n, siendo Vk la barrera de potencial de la union del diodo.
Si Vk aumenta, (Vr/Vk) disminuye, y el denominador disminuye, por lo que aumenta la capacidad, no deberia ser proporcional en ese caso????
Animo a todos!!!!