Hola!
Dejo por aquí algunas dudas del examen temático de la semana pasada a ver si me podéis echar una mano
8. Mediante un circuito rectificador con puente de diodos y filtrado de condensador se desea alimentar a una carga con una corriente de 300 mA (dc). Si se utiliza un transformador de 220/12 V y se desea que el valor medio de la tensión en la carga sea de 15 V. Valor de la corriente que deben de ser capaces de aguantar los diodos deberá ser.
1. ∼ 300mA
2. ∼ 600mA
3. ∼ 1350 mA
4. ∼ 2700 mA (RC)
9. Al poner en contacto un semiconductor de tipo n con otro de tipo p
1. Algunos electrones se difunden desde p hacia n (RC)
2. Algunos huecos se difunden desde n hacia p y otros desde p hacia n
3. Algunos huecos se difunden desde n hacia p
4. Algunos electrones se difunden desde n hacia p
Tengo bastante lío con las corrientes en las uniones PN… Al formar una unión PN se establecen corrientes de difusión de portadores mayoritarios (electrones van de N a P y huecos de P a N), debido a este movimiento de cargas se forma la zona de agotamiento donde aparece un campo eléctrico que se opone a la difusión. Este campo eléctrico genera una corriente de arrastre de portadores minoritarios (electrones van de P a N y huecos de N a P), esta parte creo que la tengo clara, pero ¿ Cómo se forman las corrientes de difusión de portadores minoritarios? Y si la respuesta 1 es correcta, ¿Por qué no lo es la 3? ¿Solo hay corriente de difusión de minoritarios en un sentido?
Tampoco sabría descartar la 4, ¿puede ser que se difundan todos y no solo algunos de los electrones?
19. Supongamos que un filamento de Tungsteno opera a 3300 K, cuál sería la resistencia de este si su largo es de 5 cm y el radio es 0.02 mm
1. 10,34 Ω
2. 41,16 Ω (RC)
3. 20,58 Ρ
4. 61,74 Ω
La resistencia es R=ro L/S, donde ro es la resistividad. ¿Se supone que tenemos que sabernos la resistividad del Tungsteno a 3300K? ¿O hay alguna otra forma de calcularlo?
30. Si se desea que un contador de 3 biestables cuente de 0 a 4 (incluido) ¿Qué salidas de dichos biestables serían las entradas de una puerta NAND cuya salida está conectada a todas las entradas CLEAR'. (Q0 salida de menor peso y Q2 salida de mayor peso)
1. Q0, Q1 y Q2
2. Q1 y Q2
3. Q0 y Q2 (RC)
4. Q0 y Q1
Esta ni idea…
77. Un rectificador de media onda desarrolla 20V de dc. ¿Cuál es el valor de voltaje de rizo?
1. 24,2 (RC)
2. 22
3. 20
4. 21,8
¿No tendrían que darnos algún dato más?
89. Sea un rectificador de onda completa por puente de diodos, y con filtrado por condensador. Se dispone de un transformador que aporta una tensión máxima VM de 30 V
en el secundario a 50 Hz de frecuencia. El rectificador alimenta una carga de 1 kΩ y se desea un rizado γ inferior al 2% ¿Qué condensador usaremos?
1. 50 μF
2. 150 μF (RC)
3. 200 μF
4. 300 μF
Esta la he planteado del siguiente modo: γ = 100 (Vr/Vc) = 2 , donde Vr es el voltaje de rizado y Vc el voltaje continuo suministrado a la carga.
Vc=Vp-Vr/2, donde Vp=30 V es la tensión pico. Resolviendo el sistema de estas dos ecuaciones obtengo Vr=0,59V y Vc= 29,7V y Vc= 29,7V.
El voltaje pico se define como Vr=I/fC, siendo I la intensidad que circula por la carga I= Vc/R = 29,7 mA. Despejando obtengo C=1006,8 μ F.
El resultado ni se parece al correcto, las fórmulas las he sacado de http://www.sc.ehu.es/sbweb/electronica/ ... agina8.htm
Gracias de antemano,
Laura